Эльбрус/hcl/память: различия между версиями
м (→Проверенные модули: убрал дубль, добавил ссылку) |
м (+ссылки) |
||
| Строка 81: | Строка 81: | ||
Количество чипов на 4-ранковой планке x8 совпадает с количеством чипов | Количество чипов на 4-ранковой планке x8 совпадает с количеством чипов | ||
на 2-ранковой планке x4. | на 2-ранковой планке x4. | ||
== Ссылки == | |||
* [http://www.mcst.ru/files/5f1ad6/d30cd8/503d23/000000/bilyaletdinov_i.e_timin_l.s._problemy_realizatsii_vysokoskorostnyh_kanalov_operativnoy_pamyati_ddr4_v_rossiyskom_mnogoyadernom_mikroprotsessore_novogo_pokoleniya.pdf Проблемы реализации высокоскоростных каналов оперативной памяти DDR4 в российском многоядерном микропроцессоре нового поколения] (И.Е. Билялетдинов, Л.С. Тимин) | |||
[[Категория:E2K#HCL]] | [[Категория:E2K#HCL]] | ||
{{Category navigation|title=E2K|category=E2K|sortkey=*}} | {{Category navigation|title=E2K|category=E2K|sortkey=*}} | ||
Версия от 15:20, 23 ноября 2020
Совместимость модулей памяти
Рассматриваются актуальные системы v3/v4, поддерживающие DDR3 ECC DIMM с существенными ограничениями (т.к. в основном доступны модули с организацией x4).
Общие критерии
см. #2849
- шина данных x8, x16 (но не x4)
- RDIMM, UDIMM (но не LRDIMM)
- ECC
- DDR3
- 1333/1600 МГц
- все четыре планки должны быть одинаковыми
Проверенные модули
| № | P/N | Фирма | Тип | Ранк | Гб | Версия ПНС | Версия ОС | Тип ВК | Комментарии |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | KVR16R11D8/8 | Kingston | DDR3-1600 | 2 | 8 | E2S-release-2.14.1.7 | 4.4 | МЦСТ | |
| 2 | KVR16LR11D8/8 | Kingston | DDR3-1600 | 2 | 8 | E2S-release-2.14.1.7 | 4.4 | МЦСТ | |
| 3 | mt18jsf51272pdz-1g6k1he | Micron | DDR3-1600 | 2 | 4 | E2S-release-2.14.1.7 | 4.4, 801-РС | МЦСТ | |
| 4 | KVR16R11S8/4 | Kingston | DDR3-1600 | 1 | 4 | E2S-release-2.15.1.3 | 401-PC | МЦСТ | |
| 5 | KVR1333D3Q8R9S/8G | Kingston | DDR3-1280 | 4 | 8 | E2S-release-2.15.1.3 | 401-PC | МЦСТ | |
| 6 | HMT151R7BFR8C-G7 DB AB-C | Hynix | DDR3-1066 | 4 | 4 | E2S-release-2.15.1.3 | 401-PC | МЦСТ | |
| 7 | KVR16E11/8 | Kingston | DDR3-1600 UDIMM | 2 | 8 | E2S-release-2.14.1.7 | 4.4 | МЦСТ | |
| 8 | TS1GKR72V6HL | Transcend | DDR3-1600 REG-DIMM | 2 | 8 | МЦСТ | |||
| 9 | KVR13LR9Q8/16 | Kingston | DDR3L-1333 | 4 | 16 | E2S-release-2.15.1.3 | 401-PC, 801-РС, 101-РС | МЦСТ | |
| 10 | TS1GLK64V6H | Transcend | DDR3-1600 UDIMM | 2 | 8 | МЦСТ | |||
| 11 | MT18KSF1G72PDZ-1G6 | Micron | DDR3-1600 RDIMM | 2 | 8 | МЦСТ | |||
| 12 | Crucial | EUDIMM | ? | 16 | МЦСТ | ||||
| 13 | Transcend | DDR3-1600 VLP R | 2 | 8 | E2S-release-2.14.1.7 | 4.4, 801-PC | МЦСТ | ||
| 14 | TS2GKR72V3H | Transcend | DDR3-1333 REG | 4 | 16 | 801-PC | МЦСТ | ||
| 15 | XL16B8E8GMPNP-DC --- AL24M72B8BLK0S | ATP | DDR3L-1600 ECC REG | 8 | E2S-release-2.19.2.0, lomako-boot(25) | 401-РС, 801-PC | МЦСТ | ||
| 16 | CT51272BD160BJ | Crucial | DIMM PC3-12800 | 1 | 4 | 801-РС | МЦСТ | ||
| 17 | D3M-8G16S518WA | MemxPro | DDR3-1600 PC3-12800 CL11 RDIMM | 2 | 8 | 101-РС, 401-РС, 801-РС | МЦСТ. Для бута 401-РС от 2016г. не работает. | ||
| 18 | TSMTD3LR03-8GL | Transcend | DDR3-1600 PC3-10600 CL9 RDIMM | 2 | 8 | 801-РС | mike@; комплектная | ||
| 19 | TSMTD3LR08-4G | Transcend | DDR3-1600 PC3-10600 RDIMM | 4 | E8C-mITX, E1C-mITX | комплектная | |||
| 20 | KTD-PE313Q8LV/16G | Kingston | DDR3-1333 PC3-12800 CL11 RDIMM | 4 | 16 | 4С | mike@; #2849 |
Несовместимы
- Kingston KTD-PE313LV/16G 4 шт. на 801-РС; #2888: "x4"
- Kingston KVR1066D3Q8R7S/8G,
Crucial CT16G3ERSLD413339 по одной вместо комплектной на 801-РС; #2849
Разбор полётов
см. #2888
По присланным фотографиям видно, что чипы памяти помечены маркировкой SEC. Это Samsung Electronics Corporation. https://www.qdatasheet.com/datasheet.jsp?pn=K4B4G0446D&fac=Samsung По этой ссылке можно увидеть расшифровку буквенно-числового названия чипов от Samsung. На фото - K4B4G0446E. Подчёркиванием выделено поле 5. Bit Organization (04: x4). Как отличать x4 от x8 и x16? Обычно пишут на этикетке. Если нет, то можно поискать информацию об отдельном чипе в Интернете (что я сейчас проделал). Ширина чипа SDRAM (x4, x8, x16) никак не влияет на пропускную способность. Один ранк памяти с ECC (x72) можно набрать 18-ю чипами x4 или 9ю чипами x8. Количество чипов на 4-ранковой планке x8 совпадает с количеством чипов на 2-ранковой планке x4.
Ссылки
- Проблемы реализации высокоскоростных каналов оперативной памяти DDR4 в российском многоядерном микропроцессоре нового поколения (И.Е. Билялетдинов, Л.С. Тимин)