Эльбрус/hcl/память

Материал из ALT Linux Wiki

Совместимость модулей памяти

Системы на базе процессоров "Эльбрус" работают с памятью типа DDR ECC:

  • v5/v6 (8СВ и 16С/12С/2С3) -- DDR4 ECC;
  • v3/v4 (4С и 8С/1С+) -- DDR3 ECC;
  • v2 (2С+/2СМ) -- DDR2 ECC.

См. тж. соответствующий раздел официальной вики.

Поддержка конкретных разновидностей модулей (в рамках возможностей контроллера) зависит от программы начального старта — в соответствии с наличием спроса со стороны заказчиков.

Устанавливать планки следует начиная с разъёма MC0 около CPU0; может понадобиться установка парами (например, на 4Э8СВ).

DDR3

Поддерживаются DDR3 ECC DIMM с существенными ограничениями (т.к. в основном доступны модули с организацией x4); будьте внимательны при закупке отдельно от материнской платы/ВК, стоит проконсультироваться с техподдержкой МЦСТ либо при возможности провести предварительное тестирование на совместимость (и в случае работоспособности модулей, ещё не описанных в таблице, добавить их сюда).

Общие критерии

см. mcst#2849

  • шина данных x8, x16 (но не x4)
  • RDIMM, UDIMM (но не LRDIMM)
  • ECC
  • DDR3
  • 1333/1600 МГц
  • все четыре планки должны быть одинаковыми

Проверенные модули

P/N Фирма Тип Ранк Гб Версия ПНС Версия ОС Тип ВК Комментарии
1 KVR16R11D8/8 Kingston DDR3-1600 2 8 E2S-release-2.14.1.7 4.4 МЦСТ
2 KVR16LR11D8/8 Kingston DDR3-1600 2 8 E2S-release-2.14.1.7 4.4 МЦСТ
3 mt18jsf51272pdz-1g6k1he Micron DDR3-1600 2 4 E2S-release-2.14.1.7 4.4, 801-РС МЦСТ
4 KVR16R11S8/4 Kingston DDR3-1600 1 4 E2S-release-2.15.1.3 401-PC МЦСТ
5 KVR1333D3Q8R9S/8G Kingston DDR3-1280 4 8 E2S-release-2.15.1.3 401-PC МЦСТ
6 HMT151R7BFR8C-G7 DB AB-C Hynix DDR3-1066 4 4 E2S-release-2.15.1.3 401-PC МЦСТ
7 KVR16E11/8 Kingston DDR3-1600 UDIMM 2 8 E2S-release-2.14.1.7 4.4 МЦСТ
8 TS1GKR72V6HL Transcend DDR3-1600 REG-DIMM 2 8 МЦСТ
9 KVR13LR9Q8/16 Kingston DDR3L-1333 4 16 E2S-release-2.15.1.3 401-PC, 801-РС, 101-РС МЦСТ
10 TS1GLK64V6H Transcend DDR3-1600 UDIMM 2 8 МЦСТ
11 MT18KSF1G72PDZ-1G6 Micron DDR3-1600 RDIMM 2 8 МЦСТ
12 Crucial EUDIMM ? 16 МЦСТ
13 Transcend DDR3-1600 VLP R 2 8 E2S-release-2.14.1.7 4.4, 801-PC МЦСТ
14 TS2GKR72V3H Transcend DDR3-1333 REG 4 16 801-PC МЦСТ
15 XL16B8E8GMPNP-DC --- AL24M72B8BLK0S ATP DDR3L-1600 ECC REG 8 E2S-release-2.19.2.0, lomako-boot(25) 401-РС, 801-PC МЦСТ
16 CT51272BD160BJ Crucial DIMM PC3-12800 1 4 801-РС МЦСТ
17 D3M-8G16S518WA MemxPro DDR3-1600 PC3-12800 CL11 RDIMM 2 8 101-РС, 401-РС, 801-РС МЦСТ. Для бута 401-РС от 2016г. не работает.
18 TSMTD3LR03-8GL Transcend DDR3-1600 PC3-10600 CL9 RDIMM 2 8 801-РС mike@; комплектная
19 TSMTD3LR08-4G Transcend DDR3-1600 PC3-10600 RDIMM 4 E8C-mITX, E1C-mITX комплектная
20 KTD-PE313Q8LV/16G Kingston DDR3-1333 PC3-12800 CL11 RDIMM 4 16 mike@; #2849
21 M393B1G73QH1-V072 Samsung (Xiepeng) DDR3L-1600 PC3L-12800R CL11 DIMM 2 8 1C+ С.К.
22 GTMTD3LR03-8GL GTech memory DDR3-1600 PC3-10600 8 E8C-mITX

Несовместимы

  • Kingston KTD-PE313LV/16G 4 шт. на 801-РС; #2888: "x4"
  • Kingston KVR1066D3Q8R7S/8G,
    Crucial CT16G3ERSLD413339 по одной вместо комплектной на 801-РС; #2849

Разбор полётов

см. #2888

По присланным фотографиям видно, что чипы памяти помечены маркировкой SEC. 
Это Samsung Electronics Corporation.
https://www.qdatasheet.com/datasheet.jsp?pn=K4B4G0446D&fac=Samsung
По этой ссылке можно увидеть расшифровку буквенно-числового названия чипов
от Samsung. На фото - K4B4G0446E. Подчёркиванием выделено поле
5. Bit Organization (04: x4).

Как отличать x4 от x8 и x16? Обычно пишут на этикетке. Если нет, то можно
поискать информацию об отдельном чипе в Интернете (что я сейчас проделал).

Ширина чипа SDRAM (x4, x8, x16) никак не влияет на пропускную способность.
Один ранк памяти с ECC (x72) можно набрать 18-ю чипами x4 или 9ю чипами x8.
Количество чипов на 4-ранковой планке x8 совпадает с количеством чипов
на 2-ранковой планке x4.

DDR4

Сведения по v5/v6 (DDR4 ECC DIMM с куда более мягкими ограничениями) доступны на официальной вики elbrus.ru.

Общие критерии

Основные требования контроллера памяти процессора:

  • количество кристаллов в микросхеме — 1 (single die package);
  • количество слоёв в кристалле —
    • v5: 1 (2D-технология),
    • v6: до 8 (3D stacking);
  • ширина шины данных одной микросхемы — 4, 8, 16 бит (обозначение: x4, x8, x16);
  • ширина шины данных всего модуля — 72 бит (ECC);
  • буферизация — регистровая (registered, RDIMM, DDR4R) или при небольшом объёме памяти — без буферизации (unbuffered, UDIMM);
  • количество рангов в модуле — 1, 2, 4;
  • суммарное количество рангов в канале — 1, 2, 4 (актуально, когда по 2 слота на канал);
  • напряжение — обычное (1,2 В);
  • форм-фактор — DIMM;
  • все модули в компьютере должны быть идентичными.

Из этого следует, что не поддерживаются модули:

  • с многокристальными микросхемами — модули multi-die package не поддерживаются (dual-die, quad-die);
  • с многослойными кристаллами — модули 3DS не поддерживаются (v5);
  • без коррекции ошибок (ECC) — модули x64 не поддерживаются;
  • при превышении количества рангов — 2 модуля 4R в одном канале не поддерживаются (актуально, когда на каждом канале по 2 слота);
  • с пониженной нагрузкой (load-reduced) — модули LR-DIMM не поддерживаются;
  • разнородные — смешивать разные модули нельзя (даже для разных процессоров в многопроцессорной машине)[1]

Максимальный темп передачи, поддерживаемый контроллером процессора 8СВ на данный момент — 2400 МТ/с, 16С/2С3 -- 3200 МТ/с. Частота контроллера памяти в конкретном компьютере может быть установлена ниже номинальной. Модули памяти с более высоким номиналом, предположительно, будут работать (на фактической частоте контроллера памяти).

Проверенные модули

P/N Фирма Тип Ранк Гб Версия ПНС Версия ОС Тип ВК Комментарии
M4R0-8GSSBCIK Innodisk DDR4-2666 2R 8 E8C2 МЦСТ
TS424RLD16GL-MTS Transcend DDR4-2400 16 E8C2 МЦСТ
TS426ELD8G-MTS Transcend DDR4-2666 8 E8C2 МЦСТ
KSM26RS4/16HAI Kingston DDR4-2666 1Rx4 16 E8C2-pre-release-2.23.6.X@7703 Альт 9.2-бета (ядро 5.4) E8C2 Базальт СПО
M391A2K43BB1-CTDQ Samsung DDR4-2666 2Rx8 16 E8C2-pre-release-2.23.6.X@7703 Альт 9.2-бета (ядро 5.4) E8C2 Базальт СПО
KVR21R15D8/8 Kingston DDR4-2133 2Rx8 8 E8C2 МЦСТ
MTA36ASF4G72PZ-2G3 Micron DDR4-2400 2Rx4 32 E8C2 МЦСТ
MTA36ASF4G72PZ-2G9 Micron DDR4-2933 2Rx4 32 E8C2 МЦСТ
M393A4K40BB1 Samsung DDR4-2400 2Rx4 32 E8C2 МЦСТ
KSM26RS4/16HDI Kingston DDR4-2666 1Rx4 16 E8C2 МЦСТ
TS426RLD8GL-MTS Transcend DDR4-2666 2Rx8 8 E8C2 МЦСТ
TS424RLD16GL-MTS Transcend DDR4-2666 2Rx8 8 E8C2 МЦСТ
TS432RLD32GL-MTS Transcend DDR4-3200 2Rx8 8 E8C2 МЦСТ
KSM29ED8/16HD Kingston DDR4-2933 2Rx8 16 Альт 8сп E8C2 ИВК
KSM24RD4/32MEI Kingston DDR4-2400 2Rx4 32 E16C Bitblaze
MTA18ASF2G72PZ-2G9J3 Micron DDR4-2933 2Rx4 16 E16C Bitblaze
MTA18ASF2G72PZ-2G9E1 Micron DDR4-2933 16 8СВ Aleksey Boltenkov

Несовместимы

Настройка режима на v6

В новых бутах e16c/e12c/e2c3 тактовка памяти задаётся как командой расширенного меню set mc freq, так и командой b т.н. верхней консоли, вызываемой по зажатой X на COM-порту при старте машины; см. подробнее в примерах работы с верхней консолью.

Примечания

  1. Тем не менее отмечен факт одновременной работы Kingston KSM26RS4/16HAI и Samsung M391A2K43BB1-CTDQ в одной системе на 1Э8СВ

Ссылки