Эльбрус/hcl/память

Совместимость модулей памяти

Системы на базе процессоров "Эльбрус" работают с памятью типа DDR ECC:

• v5/v6 (8СВ и 16С/12С/2С3) -- DDR4 ECC;
• v3/v4 (4С и 8С/1С+) -- DDR3 ECC;
• v2 (2С+/2СМ) -- DDR2 ECC.

См. тж. соответствующий раздел официальной вики.

Поддержка конкретных разновидностей модулей (в рамках возможностей контроллера) зависит от программы начального старта — в соответствии с наличием спроса со стороны заказчиков.

Устанавливать планки следует начиная с разъёма MC0 около CPU0; может понадобиться установка парами (например, на 4Э8СВ).

DDR3

Поддерживаются DDR3 ECC DIMM с существенными ограничениями (т.к. в основном доступны модули с организацией x4); будьте внимательны при закупке отдельно от материнской платы/ВК, стоит проконсультироваться с техподдержкой МЦСТ либо при возможности провести предварительное тестирование на совместимость (и в случае работоспособности модулей, ещё не описанных в таблице, добавить их сюда).

Общие критерии

см. mcst#2849

• шина данных x8, x16 (но не x4)
• RDIMM, UDIMM (но не LRDIMM)
• ECC
• DDR3
• 1333/1600 МГц
• все четыре планки должны быть одинаковыми

Проверенные модули

№	P/N	Фирма	Тип	Ранк	Гб	Версия ПНС	Версия ОС	Тип ВК	Комментарии
1	KVR16R11D8/8	Kingston	DDR3-1600	2	8	E2S-release-2.14.1.7		4.4	МЦСТ
2	KVR16LR11D8/8	Kingston	DDR3-1600	2	8	E2S-release-2.14.1.7		4.4	МЦСТ
3	mt18jsf51272pdz-1g6k1he	Micron	DDR3-1600	2	4	E2S-release-2.14.1.7		4.4, 801-РС	МЦСТ
4	KVR16R11S8/4	Kingston	DDR3-1600	1	4	E2S-release-2.15.1.3		401-PC	МЦСТ
5	KVR1333D3Q8R9S/8G	Kingston	DDR3-1280	4	8	E2S-release-2.15.1.3		401-PC	МЦСТ
6	HMT151R7BFR8C-G7 DB AB-C	Hynix	DDR3-1066	4	4	E2S-release-2.15.1.3		401-PC	МЦСТ
7	KVR16E11/8	Kingston	DDR3-1600 UDIMM	2	8	E2S-release-2.14.1.7		4.4	МЦСТ
8	TS1GKR72V6HL	Transcend	DDR3-1600 REG-DIMM	2	8				МЦСТ
9	KVR13LR9Q8/16	Kingston	DDR3L-1333	4	16	E2S-release-2.15.1.3		401-PC, 801-РС, 101-РС	МЦСТ
10	TS1GLK64V6H	Transcend	DDR3-1600 UDIMM	2	8				МЦСТ
11	MT18KSF1G72PDZ-1G6	Micron	DDR3-1600 RDIMM	2	8				МЦСТ
12		Crucial	EUDIMM	?	16				МЦСТ
13		Transcend	DDR3-1600 VLP R	2	8	E2S-release-2.14.1.7		4.4, 801-PC	МЦСТ
14	TS2GKR72V3H	Transcend	DDR3-1333 REG	4	16			801-PC	МЦСТ
15	XL16B8E8GMPNP-DC --- AL24M72B8BLK0S	ATP	DDR3L-1600 ECC REG		8	E2S-release-2.19.2.0, lomako-boot(25)		401-РС, 801-PC	МЦСТ
16	CT51272BD160BJ	Crucial	DIMM PC3-12800	1	4			801-РС	МЦСТ
17	D3M-8G16S518WA	MemxPro	DDR3-1600 PC3-12800 CL11 RDIMM	2	8			101-РС, 401-РС, 801-РС	МЦСТ. Для бута 401-РС от 2016г. не работает.
18	TSMTD3LR03-8GL	Transcend	DDR3-1600 PC3-10600 CL9 RDIMM	2	8			801-РС	mike@; комплектная
19	TSMTD3LR08-4G	Transcend	DDR3-1600 PC3-10600 RDIMM		4			E8C-mITX, E1C-mITX	комплектная
20	KTD-PE313Q8LV/16G	Kingston	DDR3-1333 PC3-12800 CL11 RDIMM	4	16			4С	mike@; #2849
21	M393B1G73QH1-V072	Samsung (Xiepeng)	DDR3L-1600 PC3L-12800R CL11 DIMM	2	8			1C+	С.К.
22	GTMTD3LR03-8GL	GTech memory	DDR3-1600 PC3-10600		8			E8C-mITX

Несовместимы

• Kingston KTD-PE313LV/16G 4 шт. на 801-РС; #2888: "x4"
• Kingston KVR1066D3Q8R7S/8G,
  Crucial CT16G3ERSLD413339 по одной вместо комплектной на 801-РС; #2849

Разбор полётов

см. #2888

По присланным фотографиям видно, что чипы памяти помечены маркировкой SEC. 
Это Samsung Electronics Corporation.
https://www.qdatasheet.com/datasheet.jsp?pn=K4B4G0446D&fac=Samsung
По этой ссылке можно увидеть расшифровку буквенно-числового названия чипов
от Samsung. На фото - K4B4G0446E. Подчёркиванием выделено поле
5. Bit Organization (04: x4).

Как отличать x4 от x8 и x16? Обычно пишут на этикетке. Если нет, то можно
поискать информацию об отдельном чипе в Интернете (что я сейчас проделал).

Ширина чипа SDRAM (x4, x8, x16) никак не влияет на пропускную способность.
Один ранк памяти с ECC (x72) можно набрать 18-ю чипами x4 или 9ю чипами x8.
Количество чипов на 4-ранковой планке x8 совпадает с количеством чипов
на 2-ранковой планке x4.

DDR4

Сведения по v5/v6 (DDR4 ECC DIMM с куда более мягкими ограничениями) доступны на официальной вики elbrus.ru.

Общие критерии

Основные требования контроллера памяти процессора:

• количество кристаллов в микросхеме — 1 (single die package);
• количество слоёв в кристалле —
  • v5: 1 (2D-технология),
  • v6: до 8 (3D stacking);
• ширина шины данных одной микросхемы — 4, 8, 16 бит (обозначение: x4, x8, x16);
• ширина шины данных всего модуля — 72 бит (ECC);
• буферизация — регистровая (registered, RDIMM, DDR4R) или при небольшом объёме памяти — без буферизации (unbuffered, UDIMM);
• количество рангов в модуле — 1, 2, 4;
• суммарное количество рангов в канале — 1, 2, 4 (актуально, когда по 2 слота на канал);
• напряжение — обычное (1,2 В);
• форм-фактор — DIMM;
• все модули в компьютере должны быть идентичными.

Из этого следует, что не поддерживаются модули:

• с многокристальными микросхемами — модули multi-die package не поддерживаются (dual-die, quad-die);
• с многослойными кристаллами — модули 3DS не поддерживаются (v5);
• без коррекции ошибок (ECC) — модули x64 не поддерживаются;
• при превышении количества рангов — 2 модуля 4R в одном канале не поддерживаются (актуально, когда на каждом канале по 2 слота);
• с пониженной нагрузкой (load-reduced) — модули LR-DIMM не поддерживаются;
• разнородные — смешивать разные модули нельзя (даже для разных процессоров в многопроцессорной машине)

Максимальный темп передачи, поддерживаемый контроллером процессора 8СВ на данный момент — 2400 МТ/с, 16С/2С3 -- 3200 МТ/с. Частота контроллера памяти в конкретном компьютере может быть установлена ниже номинальной. Модули памяти с более высоким номиналом, предположительно, будут работать (на фактической частоте контроллера памяти).

Проверенные модули

P/N	Фирма	Тип	Ранк	Гб	Версия ПНС	Версия ОС	Тип ВК	Комментарии
M4R0-8GSSBCIK	Innodisk	DDR4-2666	2R	8			E8C2	МЦСТ
TS424RLD16GL-MTS	Transcend	DDR4-2400		16			E8C2	МЦСТ
TS426ELD8G-MTS	Transcend	DDR4-2666		8			E8C2	МЦСТ
KSM26RS4/16HAI	Kingston	DDR4-2666	1Rx4	16	E8C2-pre-release-2.23.6.X@7703	Альт 9.2-бета (ядро 5.4)	E8C2	Базальт СПО
M391A2K43BB1-CTDQ	Samsung	DDR4-2666	2Rx8	16	E8C2-pre-release-2.23.6.X@7703	Альт 9.2-бета (ядро 5.4)	E8C2	Базальт СПО
KVR21R15D8/8	Kingston	DDR4-2133	2Rx8	8			E8C2	МЦСТ
MTA36ASF4G72PZ-2G3	Micron	DDR4-2400	2Rx4	32			E8C2	МЦСТ
MTA36ASF4G72PZ-2G9	Micron	DDR4-2933	2Rx4	32			E8C2	МЦСТ
M393A4K40BB1	Samsung	DDR4-2400	2Rx4	32			E8C2	МЦСТ
KSM26RS4/16HDI	Kingston	DDR4-2666	1Rx4	16			E8C2	МЦСТ
TS426RLD8GL-MTS	Transcend	DDR4-2666	2Rx8	8			E8C2	МЦСТ
TS424RLD16GL-MTS	Transcend	DDR4-2666	2Rx8	8			E8C2	МЦСТ
TS432RLD32GL-MTS	Transcend	DDR4-3200	2Rx8	8			E8C2	МЦСТ
KSM29ED8/16HD	Kingston	DDR4-2933	2Rx8	16		Альт 8сп	E8C2	ИВК
KSM24RD4/32MEI	Kingston	DDR4-2400	2Rx4	32			E16C	Bitblaze
MTA18ASF2G72PZ-2G9J3	Micron	DDR4-2933	2Rx4	16			E16C	Bitblaze
MTA18ASF2G72PZ-2G9E1	Micron	DDR4-2933		16			8СВ	Aleksey Boltenkov

Несовместимы

• Kingston KVR24L17D4/32GB: LR-DIMM 4Rx4 32GB PC4-19200 CL17 288-Pin UDIMM 2 шт. на 901-РС

Настройка режима на v6

В новых бутах e16c/e12c/e2c3 тактовка памяти задаётся как командой расширенного меню set mc freq, так и командой b т.н. верхней консоли, вызываемой по зажатой X на COM-порту при старте машины; см. подробнее в примерах работы с верхней консолью.

Ссылки

• Список совместимости/Оперативная память на официальной wiki.elbrus.ru: DDR3, DDR4
• Проблемы реализации высокоскоростных каналов оперативной памяти DDR4 в российском многоядерном микропроцессоре нового поколения (И.Е. Билялетдинов, Л.С. Тимин)
• Ньюансы самостоятельной сборки ПК на базе материнской платы E8C-mITX с процессором Эльбрус-8С (видео)
• Разъяснение по поводу официальных списков совместимости