Эльбрус-3m: различия между версиями

Материал из ALT Linux Wiki
Нет описания правки
 
Строка 69: Строка 69:
|-
|-
! scope="row" | Площадь кристалла
! scope="row" | Площадь кристалла
| 189 мм²
| 189 мм² (15,0х12,6 мм)
|-
|-
! scope="row" | Размеры микросхемы
! scope="row" | Размеры микросхемы

Текущая версия от 01:24, 20 января 2021

Эльбрус-3m, каким мы его помним
Эльбрус-3m с крышкой

Микропроцессор «Эльбрус» (1891ВМ4Я) – универсальный микропроцессор с архитектурой «Эльбрус» на основе широкого командного слова (VLIW). Работает на тактовой частоте 300 МГц при технологических нормах 130 нм. Микропроцессор декодирует и отправляет на исполнение до 23 операций за такт.

Особенности процессора «Эльбрус»:

  • Встроенная кэш-память первого уровня объёмом 128 Кбайт;
  • Встроенная кэш-память второго уровня объёмом 256 Кбайт;
  • Интерфейс с памятью (DDR2 с поддержкой ECC) и периферийными устройствами реализован на микросхемах FPGA (Field-Programmable Gate Array – Программируемая пользователем вентильная матрица);
  • Бинарная совместимость с архитектурой x86;
  • Реализация «явного параллелизма».

Основная сфера применения микропроцессора «Эльбрус» – создание серверов и высокопроизводительных вычислительных систем. В частности, микропроцессор является базовым вычислительным элементом, применяемым для построения вычислительных комплексов «Эльбрус-3М1». И микропроцессор, и комплекс «Эльбрус-3М1» в 2007 году успешно прошли государственные испытания.

Технические характеристики

Год выпуска 2007
Архитектура Эльбрус (E2K)
Версия системы команд elbrus-v1
Число ядер 1
Частота
  • 300 МГц (1891ВМ4Я)
Кеш-память
  • L1 D: 64 Кбайт (Размер линии: 32 байт, Ассоциативность: 4)
  • L1 I: 64 Кбайт (Размер линии: 256 байт, Ассоциативность: 4)
  • L2: 256 Кбайт (Размер линии: 64 байт, Ассоциативность: 4)
Команд на 1 такт

23

Тип встроенного контроллера памяти DDR2-400 ECC
Количество каналов обмена с памятью 1
Пропускная способность шины памяти 4,8 ГБайт / с
Каналы межпроцессорного обмена -
Южный мост Только на основе FPGA
Корпус HFCBGA 900
Техпроцесс 130 нм
Число транзисторов 75,8 млн
Площадь кристалла 189 мм² (15,0х12,6 мм)
Размеры микросхемы 31×31×2,4 мм
Масса микросхемы - г.


Ссылки