Эльбрус-3m: различия между версиями
EntityFX (обсуждение | вклад) мНет описания правки |
Troosh (обсуждение | вклад) м (Больше фоток) |
||
Строка 79: | Строка 79: | ||
<gallery> | <gallery> | ||
e3m-front.jpg|Первый вариант был без крышки | |||
e3m-trep.jpg|Трепонация | |||
e3m-die.jpg|Кристалл | |||
Elbrus-3m_1891VM4YA.png|Тепло-распределительная крышка | Elbrus-3m_1891VM4YA.png|Тепло-распределительная крышка | ||
Elbrus-3m 1891VM4YA back.png|Контактная площадка | Elbrus-3m 1891VM4YA back.png|Контактная площадка |
Версия от 03:12, 26 ноября 2020
Микропроцессор «Эльбрус» (1891ВМ4Я) – универсальный микропроцессор с архитектурой «Эльбрус» на основе широкого командного слова (VLIW). Работает на тактовой частоте 300 МГц при технологических нормах 130 нм. Микропроцессор декодирует и отправляет на исполнение до 23 операций за такт.
Особенности процессора «Эльбрус»:
- Встроенная кэш-память первого уровня объёмом 128 Кбайт;
- Встроенная кэш-память второго уровня объёмом 256 Кбайт;
- Интерфейс с памятью (DDR2 с поддержкой ECC) и периферийными устройствами реализован на микросхемах FPGA (Field-Programmable Gate Array – Программируемая пользователем вентильная матрица);
- Бинарная совместимость с архитектурой x86;
- Реализация «явного параллелизма».
Основная сфера применения микропроцессора «Эльбрус» – создание серверов и высокопроизводительных вычислительных систем. В частности, микропроцессор является базовым вычислительным элементом, применяемым для построения вычислительных комплексов «Эльбрус-3М1». И микропроцессор, и комплекс «Эльбрус-3М1» в 2007 году успешно прошли государственные испытания.
Технические характеристики
Год выпуска | 2007 |
---|---|
Архитектура | Эльбрус (E2K) |
Версия системы команд | elbrus-v1 |
Число ядер | 1 |
Частота |
|
Кеш-память |
|
Команд на 1 такт |
23 |
Тип встроенного контроллера памяти | DDR2-400 ECC |
Количество каналов обмена с памятью | 1 |
Пропускная способность шины памяти | 4,8 ГБайт / с |
Каналы межпроцессорного обмена | - |
Южный мост | Только на основе FPGA |
Корпус | HFCBGA 900 |
Техпроцесс | 130 нм |
Число транзисторов | 75,8 млн |
Площадь кристалла | 189 мм² |
Размеры микросхемы | 31×31×2,4 мм |
Масса микросхемы | - г. |